时间：2025/8/1 20:47:30
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CRTM025N03L是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的碳化硅（SiC）功率MOSFET。这款器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于电动汽车、可再生能源系统以及工业电源等领域。CRTM025N03L采用了先进的碳化硅技术，提供了比传统硅基MOSFET更优异的性能，包括更低的导通损耗和开关损耗，更高的工作温度耐受性以及更小的芯片尺寸。该器件的额定电压为300V，最大连续漏极电流可达25A，使其适用于多种高功率密度应用。
漏源电压（Vds）：300V
漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ
栅极电荷（Qg）：15nC
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-247
CRTM025N03L的核心优势在于其采用碳化硅材料制造，这使得它在高温、高压和高频工作环境下表现出色。与传统硅基MOSFET相比，CRTM025N03L具有更低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的开关损耗也显著降低，使其非常适合用于高频开关应用，从而减小了外部无源元件的尺寸和成本。该器件的热阻较低，有助于提高散热效率，延长器件的使用寿命。CRTM025N03L还具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，该器件的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。
CRTM025N03L广泛应用于电动汽车的车载充电系统、DC-DC转换器、逆变器以及可再生能源系统如太阳能逆变器中。由于其高频工作能力和高效率，该器件也常用于工业电源、UPS（不间断电源）系统以及电机驱动器等高功率密度应用中。在这些应用中，CRTM025N03L能够有效减少能量损耗，提高系统效率，并缩小设备的体积，从而降低整体系统成本。此外，该器件还可用于电池管理系统和储能系统，以支持更高效的能量存储和分配。
C3M0280090J
SiC MOSFET 25A 300V
