类型：碳化硅双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：1500V
　　最大集电极电流（Ic）：900A
　　最大工作温度：200°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　材料：碳化硅（SiC）
　　配置：NPN型

CRTD900N15N的最大集电极-发射极电压为1500V，具备出色的高压耐受能力，适用于高功率应用场景。该器件的最大集电极电流为900A，能够在高电流负载下稳定工作。
　　采用碳化硅材料，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体能效。此外，碳化硅的优异导热性能使得该器件在高温环境下依然保持良好的工作稳定性，最高工作温度可达200°C。
　　该晶体管采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热，同时提供良好的机械稳定性和电气隔离性能。这种封装形式在高功率应用中尤为常见。
　　CRTD900N15N的NPN型配置使其适用于多种高功率开关电路，能够快速切换高电压和大电流，从而提升系统响应速度和效率。此外，该器件的低饱和压降特性进一步优化了其在高功率密度设计中的表现。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，CRTD900N15N在电力电子转换系统中具有广泛的应用潜力，尤其适用于需要高效能、高稳定性和高可靠性的工业和汽车应用。

CRTD900N15N常用于电力电子转换系统，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）和电力供应系统。其高电压和高电流处理能力使其成为高功率开关电源（SMPS）中的关键组件。
　　在电动汽车领域，CRTD900N15N适用于车载充电系统和电动机控制器，能够提供高效的能量转换和稳定的性能表现。
　　此外，该器件还广泛应用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统，用于高效地将可再生能源转换为可用的交流电。
　　在工业自动化和控制系统中，CRTD900N15N可用于高功率电机驱动和变频器，提供快速响应和可靠的开关性能。
　　由于其优异的高温稳定性和高功率处理能力，CRTD900N15N也可用于航空航天和军事领域的高可靠性电子系统，如电源管理和推进控制系统。

CMF20120D, CREEC10120D, SCT3045DR, SCT3080AW