类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：10A
　　最大功耗（PD）：80W
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：50MHz
　　直流电流增益（hFE）：在 IC=2A 时，典型值为 50
　　封装类型：TO-220AB

CRTD10DN10L 具有多个显著的特性，使其适用于多种高性能应用。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 100V，最大集电极电流为 10A，使其能够承受较高的电压和电流应力，适用于功率放大器和开关电源等应用。其次，该器件的最大功耗为 80W，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，CRTD10DN10L 的增益带宽积为 50MHz，具有较高的频率响应能力，适用于高频放大器和射频应用。直流电流增益（hFE）在 IC=2A 时的典型值为 50，表明其具有良好的电流放大能力。TO-220AB 封装形式不仅便于安装，还能有效提高散热效率，延长器件的使用寿命。

CRTD10DN10L 适用于多种电子设备和系统，特别是在需要高功率和高频率性能的应用中。其主要应用包括开关电源、功率放大器、电机驱动器、逆变器和变频器等。在开关电源中，该晶体管可用于高频率的开关操作，提供高效的能量转换。在功率放大器中，其高电流增益和良好的频率响应能力使其能够提供高质量的信号放大。
　　此外，CRTD10DN10L 还可用于电机驱动器和逆变器等工业控制系统，提供稳定的功率输出和可靠的性能。其高耐压和高耐流特性使其适用于高压和高电流的负载控制。在变频器中，该晶体管可用于频率调节和功率控制，提供高效的能量管理方案。

MJ15003G, MJ15024G, 2N6292