时间：2025/7/18 22:59:09
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CEK02N6A 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高频应用设计，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于各种电源管理和开关应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：10A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：约0.016Ω（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP-8
CEK02N6A MOSFET采用了先进的沟槽式MOS结构，显著降低了导通电阻，提高了电流处理能力，从而减少了导通损耗。其低Rds(on)特性使得该器件在大电流应用中具有更低的功率损耗和更小的温升。此外，CEK02N6A具有良好的热稳定性，即使在高功率密度环境下也能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持快速开关操作，适用于高频率开关应用。SOP-8封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和散热管理，适用于自动化生产流程。
该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，适用于需要长时间运行的工业和消费类电子产品。其设计确保了在极端温度条件下依然能够维持稳定的电气性能。CEK02N6A的快速响应特性使其适用于电源转换器、负载开关和电机控制等对响应速度有要求的应用场景。
CEK02N6A广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路、电源管理模块、便携式电子设备以及各种需要高效功率控制的场合。
CEK02N6A的替代型号包括CEK02N6AH、CEK03N6A、CEK02N6AS，以及功能相近的TPH2R406CI、Si2302DS等型号。
