类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　最大集电极电流（Ic）：4A
　　最大功率耗散（Ptot）：75W
　　封装形式：TO-264
　　频率范围：100MHz（典型）
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

CRTD084NE6N的主要特性之一是其高电压和高电流能力，使其适用于各种功率放大和开关应用。该晶体管的最大集电极-发射极电压为80V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源管理电路。此外，最大集电极电流为4A，使其能够处理相对较大的负载电流，适合用于电机控制、DC-DC转换器和工业自动化设备中的驱动电路。
　　该晶体管采用了TO-264封装，具有良好的热管理和散热性能。这种封装形式能够有效降低结温，提高器件的稳定性和寿命，适用于高温环境下运行的系统。同时，CRTD084NE6N具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低导通损耗，提高整体能效。
　　在频率特性方面，CRTD084NE6N的过渡频率（fT）为100MHz，适合用于中高频放大电路。其较高的增益带宽积使其在射频和高速开关应用中表现出色，适用于通信设备和高频电源转换系统。
　　此外，该晶体管具有良好的稳定性和抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持稳定的性能。其设计符合工业和汽车电子应用的标准，能够在较宽的温度范围内可靠运行，满足不同应用场景的需求。

CRTD084NE6N广泛应用于高功率和高频电子系统中，主要适用于电源管理、电机驱动、工业自动化和通信设备等领域。在电源管理应用中，该晶体管可用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源，以提高能量转换效率并降低功耗。在电机驱动系统中，CRTD084NE6N可作为功率开关，用于控制电机的启停和速度调节，适用于自动化生产线和机器人控制系统。
　　此外，该晶体管也可用于射频放大器和高频信号处理电路，适用于无线通信设备、广播设备和测试仪器。由于其高稳定性和抗干扰能力，CRTD084NE6N也适用于汽车电子系统，如车载充电器、发动机控制单元和车身电子控制模块。

TIP41C, 2N6259, MJ15003G