CRTD080P04L2P是一款肖特基二极管阵列,广泛应用于ESD(静电放电)保护、瞬态电压抑制和信号箝位等领域。该器件具有低电容特性,能够为高速数据线路提供有效的保护,同时保持信号的完整性。
肖特基二极管以其快速恢复时间和低正向压降而著称,这使得它非常适合于高频和高效率的应用场景。CRTD080P04L2P采用SOT-23-6封装形式,具有小尺寸、高可靠性和易于安装的特点。
额定电压:15V
峰值反向电压:15V
最大反向电流:1μA(在25℃下)
正向电压:0.35V(典型值,IF=5mA时)
电容:1.8pF(典型值,VR=0V,f=1MHz)
结电容:2pF(典型值)
工作温度范围:-40℃至+125℃
封装形式:SOT-23-6
1. 超低电容设计,适用于高速数据线保护。
2. 快速响应时间,能有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准(接触放电±8kV,空气放电±15kV)。
4. 小型化封装,节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 低漏电流和低正向压降确保高效性能。
7. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
1. USB接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速数据线的ESD防护。
3. 移动设备中的射频线路保护。
4. 工业控制系统的信号线保护。
5. 通信设备中的瞬态电压抑制。
6. 汽车电子中的接口保护电路。
7. 各种消费类电子产品中对敏感元件的保护。
SMF05-02UTR, PESD6V8S1BL