时间：2025/8/1 23:02:32
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CRTD063N04L是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的SiC（碳化硅）功率MOSFET，专为高效率、高频率和高温应用设计。这款器件采用先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能，适用于电动汽车、工业电源、可再生能源系统和电源转换设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大漏极电流（ID）：63A
导通电阻（RDS(on)）：6.3mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
CRTD063N04L具备极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能，使其在高电流和高频应用中表现出色。其碳化硅材料提供了更高的热导率和更低的开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具有优异的抗热阻能力，可在高温环境下稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖。
该MOSFET的栅极氧化层经过优化设计，提供了更高的可靠性和更长的使用寿命。此外，CRTD063N04L还具备较低的反向恢复损耗，有助于降低整体系统的开关损耗并提高效率。这些特性使其成为电动汽车充电系统、DC-DC转换器、逆变器和工业电机驱动等高要求应用的理想选择。
CRTD063N04L广泛应用于电动汽车（如车载充电器、电池管理系统）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电源（如高效率开关电源）以及高频电源转换器等领域。其优异的性能使其成为需要高效率、小尺寸和高可靠性的现代电力电子系统的关键组件。
CSD16400Q5A, SCT3040KL, SiC MOSFET 63A 40V
