时间：2025/5/20 19:46:59
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CRTD030N04L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。
该型号属于 CREE（现为 Wolfspeed）公司的碳化硅（SiC）MOSFET 系列，相较于传统硅基 MOSFET，其在高温性能、开关速度和效率方面表现更优。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：30A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：95pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
CRTD030N04L 的主要特点是采用了先进的碳化硅技术，使其具备以下优势：
1. 低导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适合高效率的开关电源设计。
3. 高工作温度范围，适应极端环境下的应用需求。
4. 出色的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 良好的抗电磁干扰能力，减少噪声对电路的影响。
这些特性使得 CRTD030N04L 在电动车、工业自动化设备及可再生能源转换系统中得到广泛应用。
CRTD030N04L 可广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
4. 工业级负载切换与保护电路。
5. 电动车充电桩和车载充电器中的功率管理模块。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 成为许多高性能电力电子系统的理想选择。
CRTD035N04L
CRT030N04LS
CST10N60CAG
