BUK768R1-40E 时间：2025/5/7 17:14:13 阅读：5

BUK768R1-40E是一款由安森美（onsemi）制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和LED驱动等。其额定电压为40V，能够满足大多数低压系统的性能需求。
　　这款MOSFET还优化了热性能，能够在紧凑型设计中实现更高的效率和更低的功耗，非常适合需要高效能和小尺寸的应用场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　额定电压：40V
　　最大漏极电流：23A
　　导通电阻（典型值）：1.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：9nC
　　开关频率：最高可达1MHz
　　封装形式：LFPAK88（PowerSO8）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

BUK768R1-40E的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
　　3. 高度可靠的封装设计，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
　　4. 宽工作温度范围，使其适用于工业及汽车级应用。
　　5. 符合RoHS标准，环保且易于焊接与装配。
　　这些特性共同使得BUK768R1-40E成为高性能功率转换的理想选择。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和USB-PD充电器。
　　2. 降压和升压DC-DC转换器，在消费类电子设备中用于电池管理。
　　3. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
　　4. 工业自动化中的继电器替代和信号调节。
　　5. LED照明驱动电路，提供精确的电流控制以保证亮度一致性。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，BUK768R1-40E成为了众多工程师首选的功率半导体元件。