时间：2025/5/13 17:19:16
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CRSZ025N10N 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高效能应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 工艺，具有出色的开关性能和低导通电阻特性。CRSZ025N10N 主要用于电源管理、射频放大器以及新能源领域，能够显著提高系统效率并减小整体尺寸。
这款芯片能够在高电压环境下运行，同时提供快速的开关速度，非常适合需要高性能和高可靠性的应用场景。
额定电压：100V
最大电流：25A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：最高可达 5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
CRSZ025N10N 具有以下关键特性：
1. 高效的 GaN 技术，带来更低的导通损耗和开关损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少功率损耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 高耐压能力，能够在 100V 的额定电压下稳定运行。
5. 宽温度范围适应性，适用于极端环境下的工业和汽车应用。
6. 提供卓越的热性能，确保长期可靠性。
CRSZ025N10N 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
3. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及电机驱动器。
4. 射频功率放大器和通信设备。
5. 工业自动化设备和机器人中的电源管理系统。
6. 高效 LED 驱动器和 UPS 系统。
CRSZ050N10N
CRSZ025N06N
