时间：2025/5/21 13:31:08
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CRST090N12N是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用先进的增强型场效应晶体管（eGaN? FET）设计。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，适用于高效率、高频应用场合。
其封装形式为DFN8（2mmx2mm），能够提供卓越的热性能和紧凑的设计方案。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器、负载点转换、电机驱动、LED照明等应用领域。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：90mΩ
栅极电荷（典型值）：14nC
反向恢复时间：无（由于零反向恢复特性）
工作结温范围：-55℃ to +175℃
CRST090N12N的核心优势在于其氮化镓材料的应用，使得它具备以下特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流下保持高效运行。
2. 快速的开关速度，减少了开关损耗并支持更高的工作频率。
3. 零反向恢复电荷（Qrr=0），从而显著降低了高频应用中的振铃现象和开关噪声。
4. 小尺寸封装（2mmx2mm DFN8），节省PCB空间，并具备良好的散热能力。
5. 支持高结温操作（最高达+175℃），增强了在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子设备的需求。
该晶体管主要应用于以下场景：
1. DC-DC转换器及降压电路，在消费类电子产品和工业设备中提升电源转换效率。
2. 负载点（POL）转换器，特别适用于服务器、路由器和通信基站中的分布式电源系统。
3. LED驱动电路，为高亮度LED照明提供高效驱动解决方案。
4. 电机控制与驱动，助力小型化和高性能的无刷直流电机（BLDC）控制系统。
5. 充电器和适配器，帮助实现更小体积和更高效率的快充方案。
CRST060N12N, CRST100N12N
