时间：2025/8/1 19:50:48
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CRST085N15N 是一款由 Cree（科锐）公司制造的高功率碳化硅（SiC）N沟道MOSFET功率晶体管。这款MOSFET采用碳化硅材料，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通损耗和更高的开关效率。CRST085N15N 设计用于高功率密度和高频率开关应用，如电源转换器、电机驱动和电动汽车充电系统。该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，适用于高温工作环境。
类型：N沟道MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
漏源电压（VDS）：150V
漏极电流（ID）：85A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（最大值）
栅极电压范围：-5V至25V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
安装类型：通孔
功率耗散：200W（最大值）
CRST085N15N 的主要特性包括其采用碳化硅技术，提供卓越的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的低损耗，提高了整体效率。由于SiC材料的优良导热性能，该MOSFET能够在较高的温度下稳定运行，减少了散热器的需求，从而缩小了系统尺寸。此外，该器件具有较高的短路耐受能力和过载保护特性，适用于要求严苛的工业和汽车应用。
该MOSFET还具备快速开关能力，使其适用于高频开关电路，从而减小了磁性元件的尺寸和重量。此外，其宽广的栅极电压范围允许灵活的驱动设计，增强了系统的可靠性和稳定性。CRST085N15N 还具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，有助于减少电路中的噪声干扰。
CRST085N15N 主要用于高功率和高频率的电力电子系统中。常见的应用包括高效电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动、工业自动化设备、电动汽车充电系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。其优异的热管理和高频性能使其成为要求高可靠性和高性能应用的理想选择。
CRST085N15ND、CRST085N15NE、Cree的其他SiC MOSFET型号如CRST065N15N、CRST095N15N
