时间：2025/5/30 12:13:46
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CRST073N15N是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，适用于高频和高效能应用。该器件采用先进的封装技术，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，非常适合于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。
该型号由知名半导体制造商生产，旨在满足现代电力电子系统对效率和性能的严格要求。通过利用氮化镓材料的独特优势，CRST073N15N能够在高温和高频率环境下保持稳定运行，同时降低能量损耗。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：7.3A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：40nC
开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
CRST073N15N的主要特性包括：
1. 高击穿电压：150V，能够承受较高的工作电压，确保在复杂电路中的可靠性。
2. 极低的导通电阻：仅8mΩ，显著减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关能力：支持高达5MHz的开关频率，适合高频应用。
4. 热稳定性：可在-55℃至+150℃的宽温度范围内可靠运行。
5. 小型化设计：采用紧凑型封装，有助于减小整体电路尺寸。
6. 氮化镓技术：相比传统硅基器件，提供更高的效率和更快的动态响应。
CRST073N15N广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于提高电源转换效率和减小体积。
2. DC-DC转换器：实现高效的电压转换，特别适用于汽车电子和工业设备。
3. 无线充电系统：利用其高频特性，优化无线充电效率。
4. 电机驱动：为电动工具、家用电器和工业自动化提供高效驱动解决方案。
5. 光伏逆变器：在可再生能源系统中，提升能量转换效率。
6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器和快充设备，提供更轻便、更高效的充电体验。
CRST085N150P, GAN062-150WSB
