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CRST073N15N 发布时间 时间:2025/5/30 12:13:46 查看 阅读:7

CRST073N15N是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,适用于高频和高效能应用。该器件采用先进的封装技术,具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性,非常适合于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。
  该型号由知名半导体制造商生产,旨在满足现代电力电子系统对效率和性能的严格要求。通过利用氮化镓材料的独特优势,CRST073N15N能够在高温和高频率环境下保持稳定运行,同时降低能量损耗。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:7.3A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:40nC
  开关频率:超过5MHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CRST073N15N的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:150V,能够承受较高的工作电压,确保在复杂电路中的可靠性。
  2. 极低的导通电阻:仅8mΩ,显著减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关能力:支持高达5MHz的开关频率,适合高频应用。
  4. 热稳定性:可在-55℃至+150℃的宽温度范围内可靠运行。
  5. 小型化设计:采用紧凑型封装,有助于减小整体电路尺寸。
  6. 氮化镓技术:相比传统硅基器件,提供更高的效率和更快的动态响应。

应用

CRST073N15N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于提高电源转换效率和减小体积。
  2. DC-DC转换器:实现高效的电压转换,特别适用于汽车电子和工业设备。
  3. 无线充电系统:利用其高频特性,优化无线充电效率。
  4. 电机驱动:为电动工具、家用电器和工业自动化提供高效驱动解决方案。
  5. 光伏逆变器:在可再生能源系统中,提升能量转换效率。
  6. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器和快充设备,提供更轻便、更高效的充电体验。

替代型号

CRST085N150P, GAN062-150WSB

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