时间：2025/6/13 12:49:43
阅读：6
PBSS4021PX是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化封装设计。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、负载开关等。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
此MOSFET适用于要求高效率和紧凑设计的应用场景，凭借其出色的电气特性和稳定性，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
型号：PBSS4021PX
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2.8A
导通电阻(Rds(on))：55mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：760mW
封装形式：SOT-23
工作温度范围(Top)：-55°C至+150°C
PBSS4021PX具有以下显著特性：
1. 低导通电阻：在Vgs=10V条件下，典型Rds(on)为55mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关性能：具备较低的输入电容(Ciss)和输出电荷(Qg)，从而实现更快的开关速度。
3. 紧凑封装：采用SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 高可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的工作区间，适应各种环境需求。
6. 符合RoHS标准：环保且无铅，满足国际法规要求。
PBSS4021PX适合多种应用场合：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 消费类电子产品的负载开关。
3. 工业自动化领域的电机驱动电路。
4. 便携式设备中的电池管理模块。
5. LED驱动器和背光控制。
6. 各种需要高效能功率开关的场合。
PBSS4020PTX, PBSS4021PS
