时间：2025/5/13 12:50:03
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CRST065N08N是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合需要高效能和高温操作的应用环境。
该器件采用了先进的沟槽结构设计，从而在保持较低导通损耗的同时实现快速开关性能。它还具备较高的雪崩耐量，能够在极端条件下提供更高的可靠性。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：65A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：90nC
开关速度：超高速
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高额定电压（800V），适用于高压系统。
3. 超快的开关速度，支持高频工作场景。
4. 出色的热稳定性，允许在高达175℃的工作温度下运行。
5. 内置反向二极管功能，简化电路设计。
6. 较高的雪崩击穿能力，增强器件的耐用性和可靠性。
1. 太阳能逆变器和风能转换系统。
2. 电动车充电站和车载充电器。
3. 工业电机驱动和伺服控制器。
4. 不间断电源（UPS）和高频DC-DC转换器。
5. 高压电源模块和PFC（功率因数校正）电路。
6. 激光切割设备和焊接机等工业设备中的电源管理部分。
CRST065N06L, CRST080N08N, CRST050N08N
