时间：2025/8/1 20:00:03
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CRSS035N10N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Central Semiconductor（简称Central Semi）生产。该器件设计用于高电流、低电压应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的开关性能，适合用于电源管理和功率转换电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A（在Tc=25℃时）
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
封装形式：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
CRSS035N10N MOSFET采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了效率。其高电流承载能力和低RDS(on)使其非常适合用于高功率密度设计，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
该器件的封装形式为TO-263（D2Pak），提供良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装应用。其栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，适用于各种开关电源系统。
此外，CRSS035N10N具备良好的雪崩能量承受能力，能够在高应力条件下保持稳定工作。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。这种MOSFET还具有较低的输入电容和反向恢复电荷，使其在高频应用中表现优异。
CRSS035N10N广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它在汽车电子系统（如车载充电器、起停系统和电机控制）中也具有重要应用价值。
此外，该器件还可用于服务器电源、工业自动化设备、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境条件下的应用。
SiS828DN, IRF1324S-7PPBF, IPB035N10N
