类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.1mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：双排DFN（D2PAK兼容）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　功率耗散（PD）：200W

CRSS031N08N是一款高性能功率MOSFET，具备低导通电阻和高电流承载能力。其3.1mΩ的RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在极端温度下仍能保持稳定的电气性能，适合高温环境下的长期运行。此外，CRSS031N08N的双排DFN封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器或驱动电路配合使用。器件的栅极氧化层经过优化，具有高击穿电压和良好的抗干扰能力，确保在高频开关应用中的稳定性。
　　在汽车电子应用中，CRSS031N08N可以用于电动车辆的电机控制器、车载充电器和DC-DC转换器。在工业控制领域，该器件适用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）。其高温耐受能力使其在没有强制冷却的环境中也能可靠工作。

CRSS031N08N广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。在电动车辆中，该MOSFET可用于电机控制器、车载充电器和DC-DC转换器。在工业控制中，适用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）。此外，该器件还适用于太阳能逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动等需要高可靠性和高温耐受能力的应用场景。

Infineon IPB031N08N3 G
　　ON Semiconductor NTV031N08T
　　STMicroelectronics STB031N08M2