稳压电压 Vz：4.3V（在测试电流 Iz = 10mA 下）
　　最大耗散功率 Pd：300mW
　　最大工作电流 Izmax：100mA
　　动态阻抗 Zz：约 60Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）
　　引脚数：3
　　极性：单向齐纳二极管

BZX84C4V3-RTK/P 的核心特性是其稳定且可重复的击穿电压，能够在广泛的温度范围内保持稳定的电压参考。该器件具有良好的温度稳定性和低动态阻抗，有助于减少电压波动和噪声干扰。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺（SMT）。此外，该齐纳二极管具有较宽的工作温度范围，适用于各种工业和消费类电子产品。器件还具有较高的可靠性，适用于需要长时间稳定工作的电路设计。该型号还具有良好的响应速度，适用于快速电压调节和保护电路。
　　该器件的制造工艺采用了先进的硅扩散技术，确保了良好的击穿电压精度和稳定性。其额定功率为300mW，允许在较高的电流下工作而不发生热失效。该型号在设计上还考虑了较低的泄漏电流，从而在非击穿状态下对电路影响更小。由于其良好的温度系数，该器件在环境温度变化较大的应用中仍能保持电压稳定性。

BZX84C4V3-RTK/P 主要用于电压调节和参考电压生成，适用于各种低功耗电子系统。典型应用包括电源电路中的电压钳位、电池管理系统中的电压检测、模拟电路中的参考电压源、以及微控制器系统中的复位电路。此外，该器件也常用于信号调理电路、电压比较器电路、以及过压保护电路中。由于其SOT-23封装形式，它特别适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、穿戴设备、便携式医疗设备等空间受限的设计中。在汽车电子中也可用于传感器参考电压或稳压电路中，满足车载环境下的稳定性和可靠性要求。

BZX84C4V3LT1G, BZX84C4V3-TP, BZX84C4V3