时间：2025/8/1 13:39:58
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CRSM120N10L2是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，适用于高效率、高频率和高功率应用。该器件基于碳化硅材料，具有优异的热性能和更高的开关效率，使其成为传统硅基MOSFET和IGBT的理想替代品。CRSM120N10L2具有1200V的漏源击穿电压（VDS）和10mΩ的低导通电阻（RDS(on)），能够在高电压和高电流环境下提供出色的性能。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏源导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
最大连续漏极电流（ID）：80A @ 25°C, 55A @ 100°C
栅极电荷（Qg）：65nC
反向恢复电荷（Qrr）：0nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：表面贴装TO-247
短路耐受能力：600V/80A
CRSM120N10L2的碳化硅技术提供了极低的开关损耗和导通损耗，使其非常适合高效率电力电子系统。其10mΩ的RDS(on)显著降低了导通损耗，从而减少了散热需求，提高了整体系统效率。该器件具有优异的高温性能，即使在100°C以上的工作温度下也能保持稳定的电气特性，从而减少了对复杂冷却系统的需求。
此外，CRSM120N10L2具有极低的栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关应用中表现出色。由于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件能够承受更高的工作电压和更快的开关速度，同时减少电磁干扰（EMI）。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，在600V/80A条件下可承受短路事件，提高了系统的可靠性和稳定性。其TO-247封装设计便于安装和散热管理，适用于各种高功率密度设计。
CRSM120N10L2广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电机驱动、电源转换器和UPS（不间断电源）系统。在电动汽车充电设备中，该器件能够提高充电效率并减少热管理复杂性。在太阳能逆变器中，CRSM120N10L2的高频开关特性有助于减小滤波器尺寸，提高能量转换效率。在工业电机驱动和电源转换器中，该MOSFET的高耐压能力和低导通电阻可以提升系统的整体性能和可靠性。
CRSM120N10LA, C3M0065065K, C3M0065065J
