时间：2025/6/17 16:52:53
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CRSM062N08N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电路和电源管理领域。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特性，适合用于便携式设备、消费类电子以及通信系统中的功率转换和负载开关应用。
作为一款小信号MOSFET，CRSM062N08N能够提供出色的效率表现，并且其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：0.7Ω
栅极电荷：1nC
总功耗：400mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 小尺寸SOT-23封装，节省PCB布局空间。
2. 低导通电阻设计，减少传导损耗并提升效率。
3. 高速开关性能，支持高频应用。
4. 高击穿电压确保在高压环境下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 稳定的电气特性和长寿命，适用于严苛的工作条件。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 负载开关与电池保护电路。
4. 电机驱动及信号切换。
5. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑的电源管理模块。
6. 工业控制设备中的小型化功率管理方案。
CRSM063N08N
FDN340P
Si2302DS
