2SK6876-01R 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,适用于高频电源转换应用,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机控制电路。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高系统的整体效率。此外,该型号带有后缀“-01R”,表示其为符合RoHS环保标准的无铅产品。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):10A(最大值)
漏源电压(VDS):60V(最大值)
栅源电压(VGS):±20V(最大值)
导通电阻(RDS(on)):典型值为12mΩ(在VGS=10V条件下)
功率耗散(PD):32W(最大值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
2SK6876-01R 具备多项优良电气特性,首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,从而提高电源转换效率。
其次,该MOSFET采用沟槽式结构设计,优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗,适用于高频开关应用。
此外,2SK6876-01R 采用了TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的散热性能,适合高功率密度的电路设计。
其栅极驱动电压范围宽广(可支持4V至10V),适用于多种驱动电路配置。
该器件还具备良好的热稳定性与高可靠性,能够适应严苛的工作环境。
由于该型号为无铅产品(符合RoHS指令),因此也适用于环保要求较高的电子设备设计。
2SK6876-01R 广泛应用于各类电源管理系统,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路。
它也适用于电池充电器、UPS不间断电源系统、工业自动化控制设备以及家用电器中的功率开关部分。
在电动车、新能源系统以及LED照明驱动电路中,2SK6876-01R 同样可以作为高效能功率开关元件使用。
由于其高频响应能力,该MOSFET也适合用于高频逆变器和功率因数校正(PFC)电路中。
在需要高效率、小体积和良好散热能力的嵌入式系统中,该器件也是理想的选择。
SiR178DP-T1-GE3, FDS6680, AO4406A, 2SK6877-01R