时间：2025/8/9 6:10:26
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2SK6876-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频电源转换应用，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制电路。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统的整体效率。此外，该型号带有后缀“-01R”，表示其为符合RoHS环保标准的无铅产品。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A（最大值）
漏源电压（VDS）：60V（最大值）
栅源电压（VGS）：±20V（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为12mΩ（在VGS=10V条件下）
功率耗散（PD）：32W（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
2SK6876-01R 具备多项优良电气特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高电源转换效率。
其次，该MOSFET采用沟槽式结构设计，优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
此外，2SK6876-01R 采用了TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适合高功率密度的电路设计。
其栅极驱动电压范围宽广（可支持4V至10V），适用于多种驱动电路配置。
该器件还具备良好的热稳定性与高可靠性，能够适应严苛的工作环境。
由于该型号为无铅产品（符合RoHS指令），因此也适用于环保要求较高的电子设备设计。
2SK6876-01R 广泛应用于各类电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路。
它也适用于电池充电器、UPS不间断电源系统、工业自动化控制设备以及家用电器中的功率开关部分。
在电动车、新能源系统以及LED照明驱动电路中，2SK6876-01R 同样可以作为高效能功率开关元件使用。
由于其高频响应能力，该MOSFET也适合用于高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中。
在需要高效率、小体积和良好散热能力的嵌入式系统中，该器件也是理想的选择。
SiR178DP-T1-GE3, FDS6680, AO4406A, 2SK6877-01R
