时间：2025/8/1 22:12:21
阅读：23
CRSM038N10N4 是一款由Cree（科锐）公司生产的高功率密度碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率、高频和高温工作环境。CRSM038N10N4 采用TO-247封装，便于散热并易于集成到各种电力电子系统中。该器件的额定电压为1200V，最大连续漏极电流为38A，非常适合用于电动汽车（EV）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电机驱动和电源转换设备等领域。
类型：碳化硅 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）@ 25°C：38A
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ
栅极电荷（Qg）：50nC
输入电容（Ciss）：1200pF
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
CRSM038N10N4 的最大优势在于其采用碳化硅（SiC）材料，相较于传统的硅基MOSFET和IGBT，具有更低的导通压降和更快的开关速度，从而显著降低开关损耗。其导通电阻仅为38mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为50nC，较低的栅极电荷使其在高频应用中表现优异，适用于高达100kHz以上的开关频率。
该器件的TO-247封装设计具备良好的热管理和机械稳定性，支持高效的散热，确保器件在高温环境下稳定运行。CRSM038N10N4 的最大工作温度可达150°C，使其适用于严苛的工作环境。其高耐压能力（1200V）使其在电动汽车OBC（车载充电器）、DC-DC转换器、光伏逆变器和工业电源系统中具有广泛的应用前景。
此外，该SiC MOSFET具备优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围为-10V至+20V，兼容常见的栅极驱动电路，简化了驱动设计并降低了外围电路的复杂性。
CRSM038N10N4 主要应用于高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、高压DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动系统。在可再生能源领域，该器件可用于太阳能光伏逆变器和储能系统中的功率转换模块，提高能量转换效率并减小系统体积。
此外，CRSM038N10N4 也适用于工业电源设备，如不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热系统以及高频电源转换器。其优异的热性能和高耐压能力使其在高密度电源设计中具有显著优势。在5G通信基站和数据中心的电源系统中，该器件可用于构建高效节能的电源模块，满足现代通信和数据中心对高能效比和小型化设计的需求。
C3M0350KHE、SiCZ-M120-120A、CRSM060N120E、Wolfspeed C2M0035120D
