时间：2025/8/1 16:04:25
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CRSM024N06L2 是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽型技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。CRSM024N06L2 封装形式为DFN5x6，适用于空间受限的高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ VGS=10V
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：DFN5x6
CRSM024N06L2 的核心特性包括极低的导通电阻、高电流承载能力和优异的热管理性能。由于采用了先进的沟槽型MOSFET技术，该器件在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体能效。其DFN5x6封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，使其适用于高功率密度的应用场景。
此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘强度，支持在较高的栅源电压下稳定工作，增强了器件的可靠性和耐久性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在极端环境下的稳定性，适用于工业级和汽车级应用。CRSM024N06L2 还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（EV/HEV）充电系统、工业自动化控制设备以及高功率密度电源模块等。由于其高可靠性和优异的热性能，CRSM024N06L2 特别适合于需要长时间高负载运行的高性能电源系统。
SiR182DP-T1-GE3, IPPB40N06S4-03, SQJQ120EP-T1_GE3
