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CRSE120N10L2 发布时间 时间:2025/8/1 23:19:28 查看 阅读:39

CRSE120N10L2 是一款由 Rohm(罗姆)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力的特点,适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。CRSE120N10L2 采用 TSON 封装形式,具备优良的热管理和小型化设计,适合现代电子设备对高密度和高性能的需求。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):5.4mΩ(最大值,Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSON(表面贴装)

特性

CRSE120N10L2 具备多项优异特性,首先是其低导通电阻(Rds(on))仅为 5.4mΩ,在 Vgs=10V 的条件下能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。其 100V 的漏源电压额定值确保了在高压系统中的稳定性和可靠性。TSON 封装设计不仅提供了良好的热传导性能,还有助于减小 PCB 板上的占用空间,符合现代电子产品小型化和高效化的趋势。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。此外,由于其栅极驱动电压范围宽广(±20V),CRSE120N10L2 可以兼容多种驱动电路设计,提高了系统的灵活性和适应性。

应用

CRSE120N10L2 广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻,该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理模块。在新能源领域,如电动汽车(EV)充电系统和太阳能逆变器中,CRSE120N10L2 也常被用于功率开关和能量转换环节。此外,该器件还可用于高性能计算设备中的电源调节电路,如服务器和高端 PC 的 VRM(电压调节模块)。

替代型号

SiR120N10, IPP120N10S4-03, FDP120N10

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