时间：2025/8/1 23:19:28
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CRSE120N10L2 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力的特点，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。CRSE120N10L2 采用 TSON 封装形式，具备优良的热管理和小型化设计，适合现代电子设备对高密度和高性能的需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：5.4mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSON（表面贴装）
CRSE120N10L2 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）仅为 5.4mΩ，在 Vgs=10V 的条件下能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。其 100V 的漏源电压额定值确保了在高压系统中的稳定性和可靠性。TSON 封装设计不仅提供了良好的热传导性能，还有助于减小 PCB 板上的占用空间，符合现代电子产品小型化和高效化的趋势。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。此外，由于其栅极驱动电压范围宽广（±20V），CRSE120N10L2 可以兼容多种驱动电路设计，提高了系统的灵活性和适应性。
CRSE120N10L2 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理模块。在新能源领域，如电动汽车（EV）充电系统和太阳能逆变器中，CRSE120N10L2 也常被用于功率开关和能量转换环节。此外，该器件还可用于高性能计算设备中的电源调节电路，如服务器和高端 PC 的 VRM（电压调节模块）。
SiR120N10, IPP120N10S4-03, FDP120N10
