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CRMP110N06L2S 发布时间 时间:2025/8/1 13:29:43 查看 阅读:38

CRMP110N06L2S是一款由Crimson Microsystems生产的高功率、高效率的功率MOSFET,适用于各种电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻和高效的热管理能力,能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型:功率MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):10毫欧(最大值)
  漏极电流(Id):110A(最大值)
  漏极-源极击穿电压(Vds):60V
  封装类型:PowerPAK SO-8双侧散热封装
  工作温度范围:-55°C至175°C
  栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2100pF(典型值)

特性

CRMP110N06L2S的主要特性包括其超低导通电阻,有助于降低导通损耗并提高效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。此外,该MOSFET采用了先进的封装技术,能够实现双侧散热,提高热性能,从而在高负载条件下保持稳定运行。该器件还具有良好的抗雪崩能力,增强了其在严苛环境下的可靠性。

应用

该器件广泛应用于DC-DC转换器、服务器电源、电动车辆(EV)充电系统、电池管理系统(BMS)以及高性能计算设备中的电源管理电路。由于其高效率和热管理能力,CRMP110N06L2S特别适用于需要高功率密度和可靠性的应用场合。

替代型号

SiM110N60T、IRF110N60T、FDMS86101、STM110N6F7

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