时间：2025/4/3 9:54:01
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CRJT99N65G2F是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET系列，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点，能够有效提升电路效率并降低能耗。
其设计旨在满足工业和消费类电子产品对高效能功率转换的需求，同时具备良好的热性能和可靠性。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：9.9A
导通电阻（典型值）：0.13Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：230W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，特别适合于大电流应用场景。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗，支持高频操作。
3. 高击穿电压，确保在高压条件下稳定运行。
4. 良好的热性能，能够承受较高的结温，延长使用寿命。
5. 优化的寄生电容设计，提升了整体系统效率。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动车充电设备
6. 工业控制及自动化设备
由于其高耐压和低导通电阻的特性，它非常适合用于高压、高频环境下的功率管理解决方案。
CRJT95N65G2F, CRJT99N65G3F
