时间：2025/8/1 19:03:20
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CRJT190N65GC是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和电源管理等领域。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式通常为TO-247，适用于高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：190A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为12.5mΩ
栅极电荷（Qg）：约150nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
CRJT190N65GC具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽结构，优化了电场分布，从而提高了器件的耐压能力。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度设计。其快速开关特性也使其在高频开关电源中表现出色。
CRJT190N65GC还具有优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保护器件不受损坏，提高系统的可靠性。其封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长使用寿命。
CRJT190N65GC主要应用于开关电源（SMPS）、工业电机控制、逆变器、UPS系统、LED驱动器以及新能源设备（如光伏逆变器和电动汽车充电模块）中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效电源转换系统的理想选择。
Siemens SIEC-190N65、STMicroelectronics STW190N65M5、Infineon IPP190N65WS、ON Semiconductor NTHD190N65L
