制造商: Infineon Technologies
　　产品系列: CY62256LL
　　存储容量: 256 Kbit
　　组织结构: 32K × 8
　　工作电压: 3.0V ~ 3.6V
　　访问时间: 70 ns
　　工作温度范围: 0°C ~ +70°C
　　封装/外壳: SOIC-28
　　引脚数: 28
　　接口类型: 异步
　　读写模式: 字节写
　　最大静态电流: 45 μA
　　最大动态电流: 40 mA
　　封装类型: 表面贴装型
　　数据保持电压: 2.0V
　　数据保持电流: 10 μA
　　输出高电平电流: -15 mA
　　输出低电平电流: 15 mA
　　输入电容: 6 pF
　　输出电容: 10 pF

CY62256LL-70SNIT具备多项先进特性，使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先，其70纳秒的访问时间保证了极快的数据读取速度，满足高速处理系统对于即时响应的需求，尤其适合需要频繁进行数据交换的应用场合，如实时控制系统、图像缓冲和通信协议处理等。该芯片采用全静态CMOS设计，无需刷新操作即可长期保持数据，简化了系统设计并提升了整体稳定性。
　　其次，该器件在功耗控制方面表现优异。在正常工作模式下，动态电流典型值仅为40mA；而在待机或低功耗模式下，静态电流可低至45μA以下，极大地降低了系统整体能耗。当进入数据保持状态时，仅需2.0V的最低电压即可维持存储内容不丢失，此时电流进一步降至10μA左右，非常适合电池供电或绿色节能型设备应用。
　　再者，CY62256LL-70SNIT具备良好的电气兼容性。其输入/输出引脚完全兼容TTL电平标准，可以直接连接到各种微控制器、DSP或FPGA而无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂度和成本。所有控制信号均经过施密特触发器整形，增强了噪声抑制能力，提高了在工业环境中抗干扰的鲁棒性。
　　此外，该芯片内部集成了上电复位电路，确保在电源建立过程中自动初始化为安全状态，防止因电压不稳定导致的数据误写或损坏。其SOIC-28表面贴装封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和回流焊接，提高了生产效率和可靠性。总体而言，CY62256LL-70SNIT凭借其高速、低功耗、高稳定性和易用性，成为中小容量静态存储应用的理想选择。

CY62256LL-70SNIT广泛应用于多种需要高速、低功耗静态存储器的电子系统中。在工业控制领域，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和数据采集模块中的缓存或程序暂存区，以实现快速响应和稳定运行。在网络与通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机和基站单元中作为帧缓冲器或协议处理中间存储，保障数据包的高效转发和处理。
　　在消费类电子产品方面，CY62256LL-70SNIT适用于打印机、扫描仪、POS终端和智能家居控制器等设备，提供可靠的字节级数据存储支持。其低功耗特性也使其适用于便携式仪器和手持式测试设备，例如数字万用表、示波器探头和无线传感器节点，有助于延长电池续航时间。
　　此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪、血糖仪和便携式超声设备中，该SRAM可用于临时存储测量数据或配置参数，确保信息的实时性和完整性。在汽车电子系统中，虽然其温度等级为商业级，但在部分车载信息娱乐系统或辅助控制模块中也可使用，前提是工作环境温度可控。
　　由于其异步接口简单且易于驱动，该芯片也常见于各类嵌入式开发板和原型验证系统中，作为外部扩展RAM使用，帮助开发者提升MCU的数据处理能力。总之，CY62256LL-70SNIT凭借其通用性强、接口灵活和稳定性高的特点，已成为多个行业中不可或缺的基础元器件之一。

CY62256NL-70ZSXI
　　CY62256V-70ZSXI
　　IS62WV256-70NLI
　　AS6C2568-70PIN