时间：2025/8/1 19:40:33
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CRJF650N65GC是一款由华润微电子（CRMicro）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备优良的导通特性和开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(ON)）：典型值65mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约80nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
CRJF650N65GC采用了先进的平面制造工艺，具有非常低的导通电阻（RDS(ON)），这使得该器件在高电流条件下能够保持较低的功耗，减少发热并提高效率。
该器件的高电流承载能力和出色的热稳定性使其适用于苛刻的工业环境。此外，它具有优异的短路耐受能力，能够在极端条件下提供稳定的性能。
其高栅极电荷（Qg）优化了开关性能，使得该器件在高频开关应用中表现出色，适用于电源转换器和逆变器等高频电路。
此外，CRJF650N65GC具备良好的雪崩能量承受能力，确保在高电压瞬态条件下仍能保持可靠的工作状态。
该MOSFET广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和电动车充电系统等。由于其出色的性能和可靠性，CRJF650N65GC也常用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统。
IXFH50N65X2, IRFP4668, STF50N65DM2, FDPF650N65GL
