容量：0.47μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　温度系数：X7R
　　封装尺寸：1206（3216公制）
　　介质材料：陶瓷
　　工作温度范围：-55℃至+125℃
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　损耗角正切（Tanδ）：≤0.025
　　温度特性：ΔC/C ≤±15%（-55℃至+125℃）

CR434R7MC作为X7R材质的陶瓷电容，具有良好的温度稳定性，在-55℃到+125℃的温度范围内，其容量变化率控制在±15%以内，能够满足大多数工业级应用的需求。该电容采用多层结构设计，有效提升了电容量密度，同时保持了较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适用于中高频滤波和去耦应用。
　　在机械性能方面，CR434R7MC采用贴片封装（1206），适合SMT工艺，能够承受较高的机械强度，适用于各种电子设备的制造。此外，该电容具有良好的耐湿性和抗老化能力，能够在复杂环境条件下长期稳定工作。
　　电气性能方面，CR434R7MC的额定电压为25V，能够满足一般数字电路和模拟电路的供电需求。±20%的容差范围使其在生产过程中具有一定的容错性，同时也能满足大多数电路设计的精度要求。

CR434R7MC广泛应用于各类电子设备中，包括消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）、工业控制设备（如PLC、变频器、工业计算机）、汽车电子（如ECU、车载导航、车载娱乐系统）以及通信设备（如路由器、交换机、基站模块）。
　　具体应用包括：作为电源去耦电容，用于降低电源噪声，提高电源稳定性；作为滤波电容，用于平滑直流电压或滤除特定频率的干扰信号；作为储能电容，用于短时间的能量存储与释放；此外，它也可用于信号耦合、旁路、阻抗匹配等电路设计中。

GRM319R71H474KA01L, C3216X7R1H474K160AC, CL31B474KBHNNNE