类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

CR322740FT 晶体管具有多项优异的电气特性，使其在各种电子应用中表现出色。
　　首先，该晶体管具备较高的电流增益（hFE），范围在 110 到 800 之间，具体数值取决于制造时的分档。这一特性使其非常适合用于信号放大和低噪声前置放大器电路。
　　其次，CR322740FT 的最大工作频率可达 100MHz，这使其能够胜任中高频放大电路，如射频（RF）放大器和数字开关电路。
　　在电压耐受方面，CR322740FT 的集电极-发射极电压（Vce）为 40V，集电极-基极电压（Vcb）为 50V，发射极-基极电压（Veb）为 5V，适用于大多数中低压电子系统。最大集电极电流为 100mA，支持中等功率的开关和放大应用。
　　此外，该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。SOT-23 封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适合工业级和消费类电子产品的设计需求。
　　CR322740FT 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，满足工业级温度要求，适用于恶劣环境下的电子设备，如汽车电子、工业控制和通信设备等。
　　最后，该晶体管的功耗为 300mW，能够在低功耗环境下保持稳定运行，适合用于便携式电子产品和电池供电设备。

CR322740FT 晶体管的应用范围非常广泛，涵盖了多个电子工程领域。
　　在模拟电路中，该晶体管常用于构建共射极放大器、射极跟随器和差分放大器，能够有效放大微弱信号，适用于音频放大器、传感器接口电路和运算放大器前端设计。
　　在数字电路中，CR322740FT 可作为开关元件使用，控制 LED、继电器、小型电机等负载的通断。由于其响应速度快、电流增益高，常用于嵌入式系统中的 GPIO 驱动电路和电平转换电路。
　　在射频（RF）领域，CR322740FT 的高频响应能力使其适用于低噪声前置放大器、射频开关和调制解调器等电路。其 100MHz 的过渡频率（fT）足以应对许多中高频信号处理任务。
　　此外，该晶体管还可用于电源管理电路，如稳压器、电压检测电路和电池充电控制电路。其稳定的电气性能和宽温度范围使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的常用元件。
　　教育和实验用途方面，CR322740FT 也常被用于电子工程教学实验中，帮助学生理解晶体管的工作原理和基本放大电路的设计方法。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, MMBT3904