类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双路（Dual）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1600V
　　额定集电极电流（IC）：45A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：S.E.M.I.X. 2 封装
　　最大耗散功率（PD）：350W
　　导通压降（VCEsat）：典型值2.9V（在IC=45A）
　　短路耐受能力：5μs（典型）
　　隔离电压：2500Vrms（1分钟）
　　安装方式：螺钉安装
　　重量：约80克

SEMIX245DH16 具备多项先进特性和设计优势。首先，其采用的S.E.M.I.X. 2封装技术提供了优良的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度应用。该模块内部集成两个独立的IGBT单元，每个单元都带有反并联快速恢复二极管，支持双向电流流动，适用于H桥和半桥拓扑结构。
　　该模块的IGBT芯片采用了沟槽栅极（Trench Gate）和场截止（Field Stop）技术，使其在导通压降和开关损耗之间取得了良好的平衡，从而提高了整体效率。此外，其具有优异的短路耐受能力，能够在瞬态故障条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。
　　在热管理方面，模块基板采用直接铜键合（DBC）技术，提升了热传导效率，使得模块能够在较高环境温度下稳定工作。同时，模块内部设计了良好的电气隔离结构，确保主电路与散热器之间的绝缘性能满足IEC和UL标准的要求。
　　该模块还具有良好的可焊性和安装兼容性，适用于自动化生产线和高要求的工业应用场景。

SEMIX245DH16 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及储能系统等。其高耐压能力和中等电流等级，使其特别适合用于中功率级别的三相逆变器和整流电路中。
　　在电机控制领域，该模块可以作为主功率开关器件，用于构建高性能的PWM逆变器。在UPS系统中，SEMIX245DH16 可用于DC/AC逆变环节，实现高效的能量转换。此外，在太阳能光伏逆变器中，该模块能够胜任MPPT控制和电网并网功能，满足高效能和高可靠性的需求。
　　由于其良好的热稳定性和高集成度，该模块也适用于空间受限或对系统寿命有高要求的场合，例如机器人驱动系统和工业自动化设备。

SKM45GB1603AG
　　 FS45R16W1T4_B11
　　 IXDH45N160
　　 SEMIX245DH17