类型: NPN 双极晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 50V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 5V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　最大功耗（PD）: 300mW
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: SOT-23

CR32182JT 具有多个优良特性，使其在通用晶体管应用中表现优异。
　　首先，该晶体管具备良好的高频响应能力，适用于需要快速开关的应用场景。其典型过渡频率（fT）可达 100MHz，确保在较高频率下仍能保持良好的放大性能。
　　其次，该器件的封装形式为 SOT-23，体积小、重量轻，适合高密度 PCB 布局，广泛用于便携式设备和消费类电子产品中。
　　再者，CR32182JT 具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在 0.2V 左右（IC = 100mA，IB = 5mA 时），有助于减少功率损耗，提高电路效率。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围宽泛，通常在 110 到 800 之间，具体取决于工作电流和配置方式，使其在不同放大电路中具有良好的适应性。
　　最后，CR32182JT 的最大功耗为 300mW，能够在较高温度环境下稳定工作，具备较强的热稳定性，适用于多种工业和消费类应用场景。

CR32182JT 主要用于低功率放大器、数字开关电路、缓冲器电路以及电源控制电路中。
　　在放大电路中，该晶体管可作为前置放大器使用，适用于音频信号、传感器信号等微弱信号的放大处理，得益于其良好的 hFE 特性和低噪声特性。
　　在数字开关电路中，CR32182JT 可用于驱动 LED、继电器、小型电机等负载，其较高的开关速度和较低的饱和压降使其成为理想的开关元件。
　　此外，该晶体管也可用于接口电路中，例如将微控制器的输出信号放大以驱动更高功率的外围设备，或用于电平转换电路中，以实现不同电压域之间的信号传递。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，CR32182JT 常被用于电源管理、信号切换、音频放大等模块，得益于其小型封装和稳定性能。

2N3904, BC547, PN2222A