齐纳击穿电压Vz最小值(V):4齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大功率PMax(W):0.225芯片标识:W9封装/温度(℃):SOT-23/-65~150