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NTGS1135PT1G 发布时间 时间:2023/12/6 17:31:16 查看 阅读:133

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):100mOhms
正向跨导gFS(最大值/最小值):1.2S
汲极/源极击穿电压:-8V
闸/源击穿电压:+/-6V
漏极连续电流:-5.8A
功率耗散:1.6W
最大工作温度:+150

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSOP-6
封装:Reel
最小工作温度:-55

StandardPackQty:3000

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NTGS1135PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 4.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)850mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 6V
  • 功率 - 最大970mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)