容量：64 Kbit
　　组织结构：8K x 8位
　　工作电压：1.7V 至 5.5V
　　读取电流：1mA（典型值）
　　写入电流：3mA（典型值）
　　待机电流：1.5μA（最大值）
　　写入周期时间：5ms（最大值）
　　数据保持时间：超过40年
　　擦写次数：超过400万次
　　封装类型：8引脚 SOIC、TSSOP 和 DFN 封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

CPL6502-0101FSZ 是一款高性能EEPROM芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片支持较宽的工作电压范围（1.7V 至 5.5V），使其适用于多种电源环境，包括低电压应用。这种宽电压范围设计提高了其在不同系统中的兼容性和灵活性。
　　其次，CPL6502-0101FSZ 具有极低的待机电流（最大值为1.5μA），非常适合对功耗敏感的应用，如便携式设备和电池供电系统。在正常读取和写入操作中，其电流消耗也保持在较低水平，分别为1mA和3mA，这有助于延长设备的电池寿命。
　　此外，该EEPROM芯片的写入周期时间仅为5ms（最大值），确保了快速的数据写入操作，从而提高了系统的响应速度和效率。其耐用性高达400万次擦写周期，数据保持时间超过40年，确保了长期可靠的数据存储。
　　在封装方面，CPL6502-0101FSZ 提供多种封装选项，包括8引脚 SOIC、TSSOP 和 DFN 封装，适合不同应用场景的布局需求。这些封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
　　最后，该芯片的工作温度范围为-40°C 至 +85°C，适用于工业级温度环境，确保在各种恶劣条件下仍能稳定工作。

CPL6502-0101FSZ 由于其高可靠性和低功耗特性，广泛应用于多个领域。在工业控制中，它常用于存储设备的校准数据、配置参数和运行日志；在消费电子产品中，如智能手表和可穿戴设备，用于保存用户设置和关键数据；在通信设备中，可用于存储设备识别信息和安全密钥；此外，该芯片还适用于汽车电子系统，如车身控制模块和传感器单元，确保在高温环境下稳定运行。

M95640-DRMN6TP/KP212