类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：5.4A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型1.1V，最大2.0V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：22mΩ 毫欧
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：30mΩ 毫欧
　　栅极电荷（Qg）@ 10V：9nC
　　输入电容（Ciss）：500pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散（Pd）：1W
　　极性：增强型MOSFET

CPH6604-TL-E采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在高电流条件下的功率损耗。其RDS(on)在VGS=10V时仅为22mΩ，在VGS=4.5V时为30mΩ，表明即使在较低的驱动电压下仍能保持出色的导通性能，这使其非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。
　　该器件具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg=9nC）和输入电容（Ciss=500pF），可有效减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。这对于DC-DC转换器、同步整流和高频开关电源尤为重要。同时，低电容特性也有助于减少电磁干扰（EMI），改善系统的电磁兼容性表现。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型PCB布局中，还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现高效的热传导。尽管封装较小，但其最大连续漏极电流可达5.4A（在25°C环境温度下），展现了较高的电流承载能力。配合高达1W的功率耗散能力，可在多种负载条件下稳定运行。
　　工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使CPH6604-TL-E能在恶劣环境温度下可靠工作，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等对环境适应性要求较高的场合。此外，器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造流程，并兼容标准回流焊工艺，有利于自动化大批量生产。
　　总体而言，CPH6604-TL-E凭借其低RDS(on)、高速开关、小封装、宽温度范围和环保合规等综合优势，在各类中小功率MOSFET应用中展现出卓越的性价比和可靠性。

CPH6604-TL-E广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高效开关控制和空间节省的设计。常见应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长电池寿命。
　　在DC-DC转换器电路中，该MOSFET可用于同步整流拓扑，替代传统二极管以降低压降和导通损耗，从而提高转换效率。其快速开关特性和低栅极电荷使其特别适合高频操作环境，有助于减小外围元件尺寸并提升功率密度。
　　此外，CPH6604-TL-E也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的驱动桥路中作为低端开关使用，能够承受频繁启停带来的电流冲击，并保持较低温升。
　　在LED驱动和背光控制电路中，它可用作恒流源的通断控制开关，实现精确的亮度调节。由于其低阈值电压特性，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了电路设计并降低成本。
　　其他应用场景还包括热插拔电路保护、USB电源开关、传感器电源控制、电池充电管理单元以及各种模拟和数字信号切换任务。其SOT-23封装形式便于手工焊接和自动化贴片，适用于从原型开发到大规模量产的各种生产需求。

FDMC86263