CPH6445-TL-W 时间：2025/8/2 7:44:10 阅读：17

CPH6445-TL-W 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高性能电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高效率。CPH6445-TL-W 的封装为 SOT-23，适合用于空间受限的电路设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：6A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

CPH6445-TL-W MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于多种电源管理应用。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 28mΩ，而在 VGS=4.5V 时为 38mΩ，这种特性使其适用于多种栅极驱动电路。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 6A，漏极-源极电压为 30V，使其适用于中等功率的开关应用。栅极-源极电压范围为 ±20V，确保了器件在各种驱动条件下的稳定运行。
　　此外，CPH6445-TL-W 采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合用于高密度 PCB 设计。其热阻（RθJA）为 50°C/W，能够有效散热，确保长时间运行的稳定性。

应用

CPH6445-TL-W 广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。在电源管理领域，该器件的低导通电阻和高电流能力使其成为高效同步整流器的理想选择。
　　在 DC-DC 转换器中，CPH6445-TL-W 可作为主开关器件，帮助提高转换效率并减少发热。在负载开关电路中，该 MOSFET 提供快速开关能力和低导通损耗，适用于需要频繁开关操作的应用。
　　此外，CPH6445-TL-W 还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池的安全和高效运行。在电机控制应用中，该器件能够承受较高的电流和频繁的开关操作，提供稳定的性能。
　　由于其小巧的 SOT-23 封装，CPH6445-TL-W 也适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。