时间：2025/12/28 10:19:47
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CPH6328-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装小信号NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，广泛用于便携式电子设备中的开关和放大应用。该器件设计用于在低电压和低电流条件下高效工作，适用于现代高密度PCB布局。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和各类消费类电子产品。CPH6328-TL-E具有优良的直流电流增益（hFE）特性，确保在各种工作条件下都能实现稳定的性能表现。该晶体管符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，该器件在制造过程中经过严格的测试，以保证一致性和可靠性，适合自动化贴片生产线使用。
类型：NPN
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.25V @ IC=10mA, IB=0.5mA
直流电流增益（hFE）：300 @ IC=10mA, VCE=1V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
最大功耗（Pd）：300mW
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
增益带宽积（fT）：200MHz @ IC=10mA, VCE=5V
封装/外壳：SOT-23
CPH6328-TL-E具备优异的高频响应能力，其增益带宽积（fT）高达200MHz，使其不仅适用于传统的直流开关电路，还能在射频前端或中频放大器等模拟信号处理场合中发挥良好作用。该器件在小信号放大应用中表现出较高的线性度和低噪声特性，能够有效提升音频放大器或传感器信号调理电路的信噪比。其快速的开关速度得益于较低的寄生电容和优化的内部结构设计，使得上升时间（tr）和下降时间（tf）控制在纳秒级别，适合高速数字逻辑接口或脉冲宽度调制（PWM）控制。
该晶体管的热稳定性较强，在宽温度范围内仍能维持稳定的电气性能，特别适合在工业级环境温度下运行。其SOT-23封装具有良好的散热性能和机械强度，能够在回流焊工艺中保持可靠连接，减少生产过程中的失效风险。器件的引脚排列符合行业通用标准，便于与其他品牌兼容型号进行替换或布局设计。此外，CPH6328-TL-E在制造过程中采用了先进的晶圆加工技术，确保了批次间的一致性和长期供货能力。
由于其低驱动电流需求，该晶体管可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的缓冲级，从而简化系统设计并降低成本。其高hFE值意味着即使在微弱输入信号下也能实现有效的电流放大，适用于电池供电设备中的节能设计。综合来看，CPH6328-TL-E是一款性能均衡、可靠性高且成本效益良好的通用型小信号晶体管，适用于多种现代电子系统的设计需求。
广泛应用于移动通信设备中的射频开关与偏置电路、便携式消费类电子产品中的LED驱动与电源管理模块、各类传感器信号放大与调理电路、微控制器接口中的电平转换与驱动级设计、工业控制系统的数字隔离与继电器驱动、音频前置放大器与有源滤波器设计、以及各类需要小型化和高效能晶体管的嵌入式电子系统。
MMBT3904, BC847B, 2N3904, FMMT617
