时间：2025/5/7 12:24:55
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WNM03361DN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用。
这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。同时，它具有较高的栅极阈值电压，能够确保在各种应用场景下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：45mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：1.1W（环境温度25°C时）
工作结温范围：-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频开关应用。
3. 具备出色的雪崩击穿能力和ESD保护功能，增强了器件的耐用性。
4. 小型化的TO-252封装节省了PCB空间，并且易于自动化装配。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 各种负载开关应用。
4. DC-DC转换器中的同步整流元件。
5. 电池保护电路中的电子保险丝功能。
IRLZ44N
FDP5570
AON7328
