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CPH6315-TL-E 发布时间 时间:2025/12/28 10:06:54 查看 阅读:11

CPH6315-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双极结型晶体管(BJT)阵列,包含两个独立的NPN晶体管。该器件采用SOT-23-6小型表面贴装封装,适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。CPH6315-TL-E的设计注重高性能与低功耗,在便携式电子设备、通信系统和数字逻辑接口中表现出色。每个晶体管都经过优化,具备良好的电流增益线性度和开关响应速度,适合用于信号放大、电平转换、驱动负载以及通用开关应用。该器件符合RoHS环保标准,并且支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品制造的需求。由于其内部结构对称且参数匹配良好,CPH6315-TL-E也常被用于差分放大电路或需要配对晶体管的模拟应用中,有助于提升电路的整体性能和稳定性。

参数

类型:NPN双晶体管阵列
  封装:SOT-23-6
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):最小100(测试条件IC=10mA)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

CPH6315-TL-E的核心特性之一是其高频率响应能力,过渡频率(fT)高达200MHz,使其非常适合高频小信号放大和高速开关应用。这意味着在射频前端、振荡器电路或数据传输线路中,该器件能够有效处理快速变化的信号而不会引入显著延迟或失真。此外,较高的fT值还保证了在宽频带内具有稳定的增益表现,提升了系统的动态响应能力。
  另一个关键特性是其良好的直流电流增益(hFE),典型值在100以上,确保即使在小输入电流条件下也能实现有效的电流放大。这种高增益特性对于传感器信号调理、微弱信号检测等应用尤为重要,可以减少额外的放大级数,从而简化电路设计并降低噪声引入的可能性。
  CPH6315-TL-E采用SOT-23-6封装,不仅体积小巧,便于在紧凑型PCB上布局,而且具有良好的热传导性能和电气隔离性。六个引脚的设计允许两个NPN晶体管完全独立使用,也可配置为达林顿连接以获得更高的电流增益。同时,该封装形式兼容自动化贴片工艺,适合大规模生产。
  该器件具备出色的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的结温范围内可靠工作,适用于工业控制、汽车电子等对环境耐受性要求较高的场景。此外,其最大集电极电流为100mA,足以驱动继电器、LED指示灯或其他低功率负载,兼具模拟放大与数字开关功能。
  最后,CPH6315-TL-E通过了严格的可靠性测试,具有低漏电流和高击穿电压特性,能够在电源波动或瞬态干扰下保持稳定运行。结合其低成本和高一致性优势,这款双晶体管阵列为多种电子系统提供了经济高效的解决方案。

应用

CPH6315-TL-E广泛应用于消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,主要用于LCD背光驱动、按键去抖电路和电源管理模块中的开关控制。其小型封装和低功耗特性非常契合便携式设备对空间和能效的要求。
  在通信领域,该器件可用于USB接口电平转换、I2C总线缓冲以及RS-232信号调理电路,利用其快速开关能力和良好信号完整性来增强数据传输的可靠性。此外,在无线模块(如Wi-Fi、蓝牙)中,它也可作为射频开关或低噪声前置放大器的一部分。
  工业控制系统中,CPH6315-TL-E常用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路和电机驱动单元。例如,在光电传感器输出级,它可以将微弱的光电流放大到可用的逻辑电平,进而触发后续的数字处理单元。
  在汽车电子方面,尽管不属于AEC-Q101认证器件,但在非安全关键的应用中,如车内照明控制、按钮输入检测和仪表盘显示驱动,仍被广泛采用。其宽温工作范围和抗干扰能力保障了在复杂电磁环境下稳定运行。
  此外,该器件还常见于各类嵌入式系统和开发板中,作为GPIO扩展驱动或LED指示灯控制元件,因其易于使用且成本低廉,深受工程师青睐。无论是模拟还是数字电路设计,CPH6315-TL-E都能提供可靠的性能支持。

替代型号

MMBT3904DW1T1G
  FMMT617
  BC847BS

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CPH6315-TL-E产品

CPH6315-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间42 ns
  • 典型接通延迟时间9 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs4.5 nC V @ -4
  • 典型输入电容值@Vds410 pF V @ -10
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型CPH 6
  • 尺寸2.9 x 1.6 x 0.9mm
  • 引脚数目6
  • 最大功率耗散1.6 W
  • 最大栅源电压±10 V
  • 最大漏源电压-20 V
  • 最大漏源电阻值210 m
  • 最大连续漏极电流-3 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别开关
  • 通道模式增强
  • 通道类型P
  • 配置四漏极、单
  • 长度2.9mm
  • 高度0.9mm