型号：CPH6204
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-6
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：每通道500mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大35mΩ（当Vgs=4.5V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大45mΩ（当Vgs=2.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC
　　输入电容（Ciss）：典型值270pF
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值10ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

CPH6204的首要特性是其双N沟道MOSFET结构，允许在一个微型SOT-23-6封装内集成两个独立的高性能开关器件，极大地节省了PCB布局空间，特别适合高密度组装需求的应用场景。每个通道都经过优化设计，能够在低栅极驱动电压下实现快速开关动作和低导通损耗。在Vgs为4.5V时，Rds(on)最大仅为35mΩ，而在更低的2.5V驱动电压下也能保持不超过45mΩ的水平，这使得它非常适合用于3.3V或电池供电系统中的高效能电源路径控制。
　　该器件具备出色的动态性能参数，如低栅极电荷（Qg典型值3.5nC）和输入电容（Ciss典型值270pF），有助于减少驱动功耗并提升整体系统的能效。同时，其快速的开关响应时间（开启延迟约5ns，关断延迟约10ns）使其适用于高频开关应用，例如同步整流、负载切换和DC-DC变换器中的控制环节。此外，CPH6204具有优良的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，结温最高可达+150°C，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。
　　另一个关键优势是其内置的ESD保护机制，提供对静电放电事件的一定耐受能力，提高了在自动化生产和现场使用过程中的可靠性。SOT-23-6封装不仅体积小，而且引脚兼容性强，便于替换同类产品，并支持回流焊工艺，适应现代表面贴装生产线的需求。综合来看，CPH6204凭借其高集成度、低功耗、高速响应和宽工作温度范围，成为众多便携式和嵌入式系统中理想的功率开关解决方案。

CPH6204主要应用于需要小型化、高效率电源管理的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的外设电源控制模块，通过该器件实现对摄像头、显示屏背光、Wi-Fi模块等子系统的上电/断电管理，从而降低待机功耗并延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换电路中，CPH6204可用作同步整流器或低端开关，配合电感和电容构成降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构，提高转换效率并减少发热。其低导通电阻和快速开关特性显著降低了传导损耗和开关损耗，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径的选择开关或保护电路的一部分，实现对充电回路和放电回路的独立控制。在热插拔电路设计中，CPH6204可用于软启动功能，限制浪涌电流，防止系统电压塌陷。
　　其他应用场景还包括USB电源开关、I/O扩展器的电源隔离、传感器模块的供电控制以及各类嵌入式控制器的外围驱动电路。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接连接到微控制器的GPIO引脚进行控制，无需额外的电平转换或驱动电路，进一步简化系统设计复杂度。因此，CPH6204广泛服务于移动通信设备、物联网终端、可穿戴设备、智能家居产品等领域。

DMG2302U \ CPH622 \ FDN302P