时间：2025/6/3 22:42:49
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CDR31BX222BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高了系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET为N沟道增强型器件，具有出色的热稳定性和电气性能。其封装设计优化了散热性能，能够满足高功率密度应用的需求。
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
总功耗(Ptot)：280W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
CDR31BX222BKZPAT具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ)，有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频工作场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 内置静电保护功能，提升了器件在实际应用中的抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于全球市场。
6. 优秀的热性能，确保长时间稳定运行。
这些特性使得CDR31BX222BKZPAT成为高效率功率转换和控制的理想选择。
CDR31BX222BKZPAT主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计，提供高效的电能转换。
2. 工业电机驱动，用于精确的速度和扭矩控制。
3. 新能源汽车中的DC-DC转换器，助力电动汽车的能量管理。
4. 太阳能逆变器，提高可再生能源利用效率。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
该器件凭借其卓越的性能，在多个行业中都发挥了重要作用。
CDR31BX222BKZPAN, CDR31BX222BKZPATR, IRFP2907
