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CDR31BX222BKZPAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:42:49 查看 阅读:4

CDR31BX222BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而显著提高了系统的效率和可靠性。
  这款功率MOSFET为N沟道增强型器件,具有出色的热稳定性和电气性能。其封装设计优化了散热性能,能够满足高功率密度应用的需求。

参数

类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  总功耗(Ptot):280W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

CDR31BX222BKZPAT具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),有效降低传导损耗。
  2. 快速开关速度,支持高频工作场景。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 内置静电保护功能,提升了器件在实际应用中的抗干扰能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于全球市场。
  6. 优秀的热性能,确保长时间稳定运行。
  这些特性使得CDR31BX222BKZPAT成为高效率功率转换和控制的理想选择。

应用

CDR31BX222BKZPAT主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,提供高效的电能转换。
  2. 工业电机驱动,用于精确的速度和扭矩控制。
  3. 新能源汽车中的DC-DC转换器,助力电动汽车的能量管理。
  4. 太阳能逆变器,提高可再生能源利用效率。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  该器件凭借其卓越的性能,在多个行业中都发挥了重要作用。

替代型号

CDR31BX222BKZPAN, CDR31BX222BKZPATR, IRFP2907

CDR31BX222BKZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-