时间：2025/8/2 7:08:32
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CPH6122-TL-E 是一款由 Diodes 公司（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高电流和低损耗的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：12A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：3.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
CPH6122-TL-E 的主要特性之一是其低导通电阻，典型值为 22mΩ，在 VGS = 10V 的条件下能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电流传输能力，同时减小了芯片尺寸，提升了功率密度。
此外，CPH6122-TL-E 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产和紧凑型设计。
该 MOSFET 还具备较高的栅极电压耐受能力，支持高达 20V 的栅源电压，适用于多种驱动电路设计。漏源击穿电压为 30V，适合用于 12V 至 24V 的直流电源系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动和电池管理系统等。
在可靠性方面，CPH6122-TL-E 通过了工业级标准认证，具有良好的抗静电能力和长期稳定性，可在复杂电磁环境中稳定运行。
CPH6122-TL-E 主要应用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制器、电池充电器和工业自动化设备中。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效能、高密度的电源模块设计。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车载逆变器以及车身控制模块中的功率开关应用。
SiSS128N, FDS6680, IRF3710, CSD17325QPA
