型号：CPH5802-TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：3.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：10A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=4.5V；28mΩ @ VGS=2.5V
　　输入电容（Ciss）：380pF @ VDS=10V
　　开关时间（开启/关闭）：约10ns / 25ns
　　功耗（PD）：1W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

CPH5802-TB采用高性能沟槽工艺设计，具备极低的导通电阻，这使得它在小尺寸封装下仍能保持较高的电流承载能力与较低的功耗表现。其RDS(on)典型值仅为22mΩ（在VGS=4.5V条件下），这意味着在大电流通过时产生的热量显著减少，提高了系统的整体效率和可靠性。此外，该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，支持低电压驱动，能够兼容3.3V甚至更低的逻辑电平信号，非常适合用于单片机、DSP或其他数字控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET的开关速度快，输入电容Ciss约为380pF，在高频开关应用中表现出色，可用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等需要快速响应的电路中。同时，得益于SOT-23封装的小体积特性，CPH5802-TB非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的电子产品中。器件内部结构优化，具有良好的热传导性能，即使在有限散热条件下也能稳定工作。
　　CPH5802-TB还具备较强的抗静电能力（ESD保护）和过压耐受性，提升了其在实际应用中的鲁棒性。其绝对最大额定值中的漏源电压为20V，适用于12V及以下的低压系统，例如USB电源控制、锂电池充放电管理、LED驱动等场合。此外，该器件在高温环境下依然能保持稳定的电气性能，工作结温可达+150°C，确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。综合来看，CPH5802-TB是一款性能优越、成本效益高的N沟道MOSFET，是中小功率开关应用的理想选择之一。

CPH5802-TB广泛应用于各类低电压、中等电流的开关控制电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换，例如智能手机和平板电脑中的背光控制或外设供电管理。在电池管理系统中，它可以作为充放电通路的控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压转换器中的同步整流部分，提升电源转换效率。
　　在嵌入式系统中，CPH5802-TB常被用作微控制器I/O口的扩展驱动器，用于控制继电器、LED灯组、小型直流电机等负载。由于其可以直接由3.3V或1.8V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。在消费类电子产品如无线耳机、智能手环、电子锁等产品中，该MOSFET用于实现待机模式下的电源切断功能，以降低静态功耗。
　　此外，CPH5802-TB还可用于热插拔电路、USB端口的电流限制与保护、传感器模块的电源控制等领域。其小型化封装使其成为高密度PCB设计中的优选器件，尤其适合自动化贴片生产流程。总之，凡是需要高效、小型、低成本开关元件的低压电子系统，CPH5802-TB都是一个非常合适的选择。

AP2302GN-HF, DMG2302U,MCH2302D