时间：2025/4/29 10:16:58
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CPH5503-TL-E是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D2PAK）封装形式。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。由于其低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低功耗并提高系统效率。
CPH5503-TL-E在设计上优化了栅极电荷和导通电阻之间的平衡，从而使其非常适合高频工作环境。此外，该器件还具有较高的雪崩击穿能量能力，确保在异常条件下具备良好的鲁棒性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：29nC（典型值）
输入电容：1780pF（典型值）
反向传输电容：35pF（典型值）
总热阻（结到环境）：40℃/W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强系统的可靠性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 高电流处理能力，支持高达12A的连续漏极电流。
6. 宽广的工作温度范围，适应恶劣环境条件。
7. TO-263封装提供出色的散热性能。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关及保护电路。
5. 汽车电子中的各种功率控制模块。
6. 工业自动化设备中的功率管理部分。
IRFZ44N, CPH5503TL, FDP5503
