65HVD3082 是一款高性能的 N 没道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压、高效率的应用场合。该器件采用了先进的半导体工艺技术,具备低导通电阻和快速开关性能,适用于各种电源转换和电机驱动应用。
65HVD3082 的额定耐压为 650V,能够承受较高的漏源电压,同时具备良好的热特性和稳定性,确保在恶劣环境下依然能可靠工作。
类型:N沟道 MOSFET
额定电压:650V
额定电流:8.2A
导通电阻:0.45Ω
栅极电荷:19nC
最大功耗:11W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
65HVD3082 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,适合高压电路设计。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能,支持高频应用。
4. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
5. 小型封装,节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 内置保护功能,增强器件的耐用性。
65HVD3082 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 各种家电产品中的高压电路驱动。
7. LED 驱动器和其他照明解决方案。
65HVD3080
IRF840
STP80NF06L