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65HVD3082 发布时间 时间:2025/5/7 15:45:19 查看 阅读:28

65HVD3082 是一款高性能的 N 没道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压、高效率的应用场合。该器件采用了先进的半导体工艺技术,具备低导通电阻和快速开关性能,适用于各种电源转换和电机驱动应用。
  65HVD3082 的额定耐压为 650V,能够承受较高的漏源电压,同时具备良好的热特性和稳定性,确保在恶劣环境下依然能可靠工作。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:8.2A
  导通电阻:0.45Ω
  栅极电荷:19nC
  最大功耗:11W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

65HVD3082 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,适合高压电路设计。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能,支持高频应用。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
  5. 小型封装,节省电路板空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 内置保护功能,增强器件的耐用性。

应用

65HVD3082 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的电源管理。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 各种家电产品中的高压电路驱动。
  7. LED 驱动器和其他照明解决方案。

替代型号

65HVD3080
  IRF840
  STP80NF06L

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