65HVD3082 时间：2025/5/7 15:45:19 阅读：95

65HVD3082 是一款高性能的 N 没道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压、高效率的应用场合。该器件采用了先进的半导体工艺技术，具备低导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源转换和电机驱动应用。
　　65HVD3082 的额定耐压为 650V，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的热特性和稳定性，确保在恶劣环境下依然能可靠工作。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　额定电压：650V
　　额定电流：8.2A
　　导通电阻：0.45Ω
　　栅极电荷：19nC
　　最大功耗：11W
　　结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

65HVD3082 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力，适合高压电路设计。
　　2. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关性能，支持高频应用。
　　4. 良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行。
　　5. 小型封装，节省电路板空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　7. 内置保护功能，增强器件的耐用性。

应用

65HVD3082 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流。
　　3. 电机驱动和控制电路。
　　4. 工业自动化设备中的电源管理。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
　　6. 各种家电产品中的高压电路驱动。
　　7. LED 驱动器和其他照明解决方案。