时间：2025/8/2 8:07:00
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CPH3462-TL-W 是由 Diodes 公司生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和小型化设计的电子设备中。该器件采用先进的工艺技术制造，具有优异的电气性能和可靠性，适合高频开关应用。CPH3462-TL-W 采用 SOT-23 封装，便于表面贴装，适用于各种便携式电子设备和电源管理系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：200mA
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω @ VGS = 4.5V
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
CPH3462-TL-W 的设计采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在小尺寸封装中实现了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了功率损耗并提高了效率。该器件具有快速开关特性，适合高频应用，有助于减少开关损耗。CPH3462-TL-W 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其低阈值电压（VGS(th)）使得器件能够轻松被常见的逻辑电平驱动，提高了设计的灵活性。
此外，CPH3462-TL-W 提供了优良的抗静电性能（ESD），能够承受高达 2kV 的 HBM（人体模型）静电放电，增强了器件在实际应用中的可靠性。该器件的封装设计符合 RoHS 标准，无铅环保，适合用于对环保要求较高的电子产品中。SOT-23 封装不仅节省空间，还便于在 PCB 上进行自动化贴装，降低了生产成本。
CPH3462-TL-W 适用于多种电子设备和系统，特别是在需要高效能和小型化设计的应用中。它常用于电池供电设备的电源管理系统，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。该器件也广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及各种低功率开关电路中。
在电源管理应用中，CPH3462-TL-W 可用于实现高效的能量传输和分配，减少功耗并延长电池寿命。由于其高频开关特性，该器件也适用于需要快速响应的控制系统，如传感器接口电路和逻辑电平转换电路。此外，CPH3462-TL-W 还可用于保护电路中，作为过流保护或过压保护元件，确保系统的稳定性和安全性。
Si2302DS-T1-GE3, 2N7002K-T1-GE3
