型号：CPH3423
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：22A
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　功耗(PD)：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

CPH3423具备卓越的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻设计，在VGS=10V条件下RDS(on)仅为23mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统能效。这一特性在电池供电设备或对能效要求较高的应用中尤为重要。该器件在VGS=4.5V时仍能保持28mΩ的低导通电阻，表明其在低电压驱动环境下依然具备良好性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的场合，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。
　　器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提升了电流密度和热传导效率。这种结构不仅增强了器件的电流处理能力，还改善了热稳定性，使CPH3423能够在较高结温下持续稳定工作。其最大结温可达150°C，配合良好的PCB散热设计，可在高温环境中可靠运行。
　　CPH3423具有快速开关响应能力，输入电容仅为420pF，输出电容为120pF，这使得器件在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和更快的上升/下降时间。反向恢复时间trr为16ns，有助于减少体二极管反向恢复带来的开关尖峰和电磁干扰，提升系统EMI性能。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，能够承受一定程度的电压瞬变和能量冲击，增强系统鲁棒性。SOT-23封装虽然体积小巧，但引脚布局合理，便于自动化贴装和回流焊接，适合大规模生产。整体而言，CPH3423在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

CPH3423广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适用于需要高效、小型化设计的场景。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，常被用作电源开关或电池管理单元中的负载开关，利用其低RDS(on)特性来最小化待机和工作状态下的能量损耗，从而延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，包括降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）电路，CPH3423可作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管，大幅提高转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现突出。其快速开关能力也使其适用于高频开关电源设计，有助于减小外围电感和电容的尺寸，实现更紧凑的电源模块。
　　在电机驱动应用中，如微型直流电机、步进电机或风扇控制电路，CPH3423可用于H桥或单侧驱动结构中作为开关元件，实现精确的启停和调速控制。其高电流承载能力和良好的热性能确保在频繁启停或堵转情况下仍能稳定工作。
　　此外，该器件还可用于LED驱动电路、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类数字控制的电源通断管理场合。在工业传感器、IoT节点和通信模块中，CPH3423凭借其高可靠性与宽温度适应性，成为实现低功耗待机与快速唤醒功能的关键组件。其SOT-23封装也便于在空间受限的高密度PCB布局中集成使用。

AO3400
　　SI2302
　　FDS6679A
　　FDG330N