时间：2025/12/28 10:21:21
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CPH3405-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的N沟道MOSFET晶体管，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件通常用于需要高效能功率管理的便携式电子产品中，例如手机充电电路、电池管理系统以及小型电源转换模块等应用场合。其封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的应用中使用。由于其优异的热稳定性和可靠性，CPH3405-TL-E广泛应用于消费类电子设备中的负载开关、电机驱动及信号切换功能中。此外，这款MOSFET具备良好的栅极耐压能力，能够承受一定范围内的过电压冲击，从而增强了系统工作的稳定性与安全性。产品符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺流程。
型号：CPH3405-TL-E
极性：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：5.6A
最大脉冲漏极电流（Idm）：22.4A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
阈值电压（Vth）：典型值1.1V，最大值2.0V
导通电阻Rds(on)：@Vgs=10V时为23mΩ，@Vgs=4.5V时为28mΩ
输入电容（Ciss）：典型值700pF @ Vds=15V
输出电容（Coss）：典型值350pF @ Vds=15V
反向恢复时间（trr）：典型值19ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
CPH3405-TL-E采用高性能沟槽型MOSFET结构设计，使其在低电压控制条件下仍能实现高效的导通性能。该器件的关键优势之一是其极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V时仅为28mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这对于电池供电设备尤其重要，有助于延长续航时间并减少发热问题。
该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的输入和输出电容值（Ciss和Coss），能够在高频开关应用中有效减少开关延迟和能量损失。同时，其较短的反向恢复时间（trr约19ns）意味着体二极管的反向恢复行为非常迅速，减少了在感性负载或同步整流场景下的瞬态电流尖峰风险，提升了电路运行的安全性与稳定性。
CPH3405-TL-E的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其具备出色的热适应能力，可在严苛环境温度下可靠运行。结合SOT-23小尺寸封装，器件不仅节省PCB布局空间，还通过优化的芯片与封装热阻设计实现了良好的散热性能。此外，±20V的栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号波动导致栅氧化层击穿，增强了长期使用的可靠性。
此器件支持逻辑电平驱动，可在+3.3V甚至更低的栅极驱动电压下正常工作，兼容现代微控制器和数字逻辑IC的输出电平，简化了驱动电路设计。它特别适用于负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器以及H桥电机驱动等对效率和响应速度要求较高的应用场景。综合来看，CPH3405-TL-E是一款兼具高性能、小型化和高可靠性的N沟道MOSFET，非常适合现代便携式和高密度电子系统的设计需求。
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